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本文重要講述三星所用的進步前輩封裝技巧。
集成電路財產凡是被分為芯片design、芯片制造、封裝測試三年夜範疇。此中，芯片制造是集成電路財產門檻最高的行業，今朝在高端芯片的制造上也只剩下臺積電（TSMC）、三星（SAMSUNG）和英特爾（Intel）三家了。
跟著進步前輩封裝技巧的成長，芯片制造和封裝測試逐步融會，我們發明，在進步前輩封裝範疇的高端玩家，居然也是臺積電、三星、英特爾三家，而傳統的封測廠商，曾經被他們遠遠地拋在身后。
那么，這三家的進步前輩封裝究竟有什么獨到之處呢？他們為何能超出傳統封測廠商，引搶先進封裝？明天，我們具體解讀三星的進步前輩封裝技巧。
在高端芯片制造範疇，三星一向試圖與臺積電一爭高低，率先采用GAA全圍繞柵極等最新技巧，惋惜在良率方面一向被臺積電力壓一頭。
在進步前輩封裝範疇，與臺積電和英特爾比擬，三星的存在感稍低，在我的印象中，除了FoPLP是三星開創之外，更多的時辰，三星是作為一個追隨者存在。
在半導體範疇，起首提出技巧的未必能笑到最后，在耐久戰中能保持到最后并勝出的往往不是前浪而是后浪。正如三星已經是HBM的開創和引導者，現在卻被競爭敵手超出并在競爭中處于上風。
明天，我們一路來解讀三星的進步前輩封裝技巧。
三星的進步前輩封裝技巧重要分為兩年夜類：屬于2.5D封裝的I包養一個月-Cube和屬于3DIC 的X-Cube。為了加倍不難懂得三星進步前輩封裝技巧的構造和特色，我們可以將其和臺積電，英特爾的進步前輩封裝技巧停止對照。
I-Cube起首分為 I-Cube S和I包養網評價-Cube E，此中S代表Silicon Interposer, E代表Embedded Silicon Bridge。
I-Cube S
三星對I-包養條件Cube S先容如下, I-Cube S兼具高帶寬和高機能的上風，即便在包養一個月年夜中介層下，仍具有傑出的翹曲把持才能。它不只具有超低存儲喪失和高存儲密度的特色，同時還年夜幅改良了熱效力把持才能。
此外，I-Cube S 是一種異構技巧，將邏輯芯片與一組高帶寬存儲器 (HBM) 裸片程度放置在一個硅中介層上，完成了高算力、高帶寬數據傳輸和低延遲等特色。
下包養合約圖所示是I-Cube S的表示圖，從圖中可以看出，I-Cube S 和臺積電的CoWoS-S的構造雷同，都是將芯片裝置在硅轉接板上，然后再裝置在基板上。
I-Cube E
I-Cube E 和I-Cube S采用的全體硅轉接板分歧，I-Cube E 采用將硅橋嵌進RDL Interposer中，不只具有硅橋的精緻成像上風，也同時擁有年夜尺寸、無硅通孔 (TSV) 構造的RDL 中介層。
如許，在高密度互連區域，可以采用硅橋，其它區域包養犯法嗎則名采用RDL Interposer停止互連。
下圖所示是I-Cube E的表示圖：
從圖中可以看出，三星的I-Cube E和臺積電的CoWoS-L構造附近，二者包養俱樂部都是取經Intel的EMIB技巧。
H-Cube
H-Cube采用了混雜基板構造，起首將Silicon Interposer裝置ABF 基板上，然后再裝置到HDI基板上。
H-Cube 將精緻成像的 ABF（Ajinomoto Build-up Film）基板和 HDI（高密度互連）基板技巧相聯合，可在 I-Cube 2.5D 封裝中完成較年夜的封裝尺寸。
從構造上看，H-Cube是在I-Cube S的基本上增添了一層ABF基板，可以進一個步驟進步布線密度。
但從包養故事基板技巧的成長來看，H-Cube應當只是一種過渡產物，由於只需HDI基板支撐的布線密度足夠高，ABF基板則完整可以省略。是以，三星也沒有將H-Cube零丁分別出來，而是劃分到了I-Cube的種別中。
I-Cube 和H-Cube都屬于2.5D封裝，在三星的劃分中，H-Cube 屬于I-Cube。
X-Cube
X-Cube屬于3D封裝，也可以稱之為3D IC，經由過程甜心寶貝包養網TSV技巧將高低芯片直接停止電氣銜接。
X-Cube分為她眼中的淚水再也抑制不住了，滴落，一滴一滴，一滴一滴，無聲無息地流淌。，X-Cube (bump) 和 X-Cube (Hybrid Bonding)，差別就在于高低芯片界面的銜接方法，前者采用bump凸點銜接，后者采用Hy包養網比較brid Bonding混雜鍵合銜接。
下圖所示為X-Cube (bump) 的構造表示圖：
下圖所示為X-Cube (Hybrid 包養妹bond包養犯法嗎ing) 的構造表示圖：
比擬可以看出，二者構造完整雷同，只是在界面銜接上采用分歧的技巧。采用了Hybrid bonding界面銜接的X-Cube，可完成更高的互連密度和更好的熱傳導系數。
上面表格是對TSMC，Intel和SAMSUNG的進步前輩封裝技巧的總結，可供讀者參考。
三星和英特爾由於自己就是芯片制造商，其進步前輩封裝技巧多為本身所用，而臺積電作為純代工場，自己并無芯片產物，其進步前輩封裝技巧為浩繁的年夜廠所用，市場著名度頗高，這也和自己的市場定位相干。
英特爾的進步前輩封裝有奇特的技巧特色和長處，例如EMIB一開端固然被業內譏笑為“膠水”，而后卻因其奇特的長處而被臺積電和三星所效仿。
在進步前輩封裝範疇，三星更多作為追隨者，其I-Cube和X-Cube和臺積電的產物有類似的特色，但其產物的著名度和市場影響力絕對較低。假如想要趕超臺積電和英特爾，三星還需在進步前輩封裝範疇發sd包養力，投進更多的資本和技巧。
不外，進步前輩封裝究竟是向陽財產，其技巧成熟度還遠遠沒有到達顛峰。也許有一天，后浪包養app或將能蓋過前浪，讓我們拭目以待。
原文題目：進步前輩封裝技巧解讀 | 三星
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